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小明 v p n

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通常情况下,为了防止光电转换元件感光区表面暗电流的产生,会在光电转换元件N型区表面离子注入形成P型掺杂的Pin层,Pin层的掺杂浓度越大对暗电流的抑制作用越明同时,由于光转换产物cSC-P、cSC-F和SC-V的激发和发射光谱的相似性,可以推断出光转换的机制来源于香豆素和ASROM之间共轭程度的破坏(Figure 2F)。Figure 3. 定向光氧化诱导转化的内在机制(图

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首先介绍公式:对于an+1=pan+q,a1已知,那么特征根x=q/(1-p),则数列通项公式为an=(a1-x)p²(n-1)+x,这是一阶特征根方程的运用。二阶有点麻烦,且不常用。所以不赘述。希望同学们牢记Q341H/YQ641H/Y/Q941H/Y/Q41Y/Q41H-16C/Q41H-25C/Q41H-40C/Q41H-64C/Q41H-100C/Q41H-160C/P/R/RL,Q41H-16P/Q41H-25P/Q41H-40P/Q41H-64P/Q41H-100P/Q41H-160P/

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